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PECVD是在LPCVD過程進行的同時,再利用輝光放電等離子體對沉積過程施加影響,借以增強反應物質的化學活性,促進氣體間的相互反應,從而在較低的溫度下在基片上生長成膜的技術,稱為做等離子體增強化學氣相沉積系統,簡稱PECVD技術。
按激發電力的輸入方式,可分為外部感應耦合式和內部感應耦合式兩種,
若以作業的生產方式來劃分,則有周期生產式和半連續生產與連續生產式三種。
PECVD的優點:
1、PECVD生成膜溫度低,對基體影響小,從而可以避免高溫成膜造成的膜層晶粒粗大以及膜層與基體生成脆相等缺點;
2、在較低的壓力下進行,由于反應物中分子、原子、等離子粒團與電子之間的碰撞、散射、電離等作用既提高了膜厚及成分的均勻性,也使膜層針孔減小,組織致密,內應力小,不易產生微裂紋;
3、等離子體對基片及膜層表面具有清洗作用,提高了膜層對基片的附著強度;
4、擴大了化學氣相沉積的應用范圍,特別是提供了在不同的基體上制備各種金屬膜、非晶態無機物膜、有機聚合膜的可能性。
PECVD用于沉積低溫(小于300度)的Si3N4和SiO2膜,能比較好的解決上述存在的問題,對提高器件可靠性、穩定性和發展大規模集成電路多層布線工藝提供了良好的成膜途徑。
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