在CVD技術中沉積溫度，進入反應室混合氣體的總流量及總壓力，混合氣體中各氣相成分的分壓力和它們之間的相對比例，沉積時間，基片的性質、形狀和在反應室中的位置等都是影響CVD沉積膜的質量因素，而這些因素之間既互有聯系、又互相影響。hhE高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
下面簡單介紹一下沉積溫度對膜質量的影響：hhE高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
    不同的沉積溫度不但使膜的沉積速率不同，而且在不同溫度下同一反應體系，沉積薄膜可以是單晶、多晶或非晶，甚至很難發生沉積。例如，以H2為攜帶氣體，以SH4和HCL為1:1的混合氣體為反應氣體，在硅單晶基片上外延時沉積溫度、生長速率和沉積層結構的關系，因沉積溫度愈低，反應生成的Si原子在基片表面的擴散和遷移愈困難，它們來不及排列到正常格點上，從而會造成大量的缺陷?；蛘哒f，溫度愈高，能夠使得在外延層中不產生缺陷，生長速率也愈高，沉積速率愈高，薄膜的結晶排列也逐步由雜亂轉變為整齊規則。hhE高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
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