CVD技術主要使用的設備是化學氣相沉積系統，該設備主要應用于各種CVD實驗，也可用于真空燒結、真空氣氛保護燒結、納米材料制備、電池材料制備等多研究領域。使用該爐子做實驗時，有如下特點：qT0高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
1、設備的工藝操作都較簡單、靈活性較強，能制備出配比各異的單一或復合膜層和合金膜層；qT0高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
2、CVD法的使用性較廣泛，可制備各種金屬或金屬膜涂層；qT0高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
3、因沉積速率可高達每分鐘幾微米到數百微米，因此生產效率高；qT0高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
4、與PVD法相比較繞射性好，非常適宜涂覆形狀復雜的基本，如槽溝、涂孔甚至盲孔結構均可鍍制成膜；qT0高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
5、涂層致密性好，由于成膜過程溫度較高，膜基界面上的附著力很強，故膜層十分牢固；qT0高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
6、承受放射線輻射后的損傷較低，能與MOS集成電路工藝相融合。qT0高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
CVD技術的不足，一是沉積溫度高可達800-1100°C,在這樣高的溫度下工件易于變形，特別是對于那些不耐高溫變化的高精度尺寸的工件，對于其用途會受到一定的限制，二是由于參與沉積的反應物質及反應后的氣體大都具有易燃、易爆、有毒或是一定腐蝕性，因此必須采取一定的防護措施。qT0高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司