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氣相化學沉積系統(CVD管式爐)是利用氣態化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發生化學反應,從而在基體表面上生成不揮發涂層的一種薄膜材料制備系統,它由真空管式爐,多通道氣路系統和真空系統組成。適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、碳納米管生長、石墨烯材料制備、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
此款CVD管式爐有兩個溫區,采用雙層殼體結構和智能化程序控溫系統,移相觸發、可控硅控制,爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料,雙層爐殼間配有風冷系統,具有真空裝置,可以通氣氛抽真空,真空泵可以根據客戶要求的真空度選配,該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。
主要功能和特點:
1、爐膛采用日本技術真空吸附成型的優質氧化鋁多晶纖維無機材料,保溫性能好,耐用,拉伸強度高,無雜球,純度高,節能效果明顯優于其它國內纖維材料;
2、加熱元件采用合金電阻絲,最高發熱溫度可達1200℃;
3、升溫速度推薦≤10℃/min,最快升溫速度20℃/min
4、超溫報警斷電功能及漏電保護措施,操作安全可靠。
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