1.故障

  

A、真空度  

(l)真空度偏高，真空計有指示(即<133Pa)，但極限真空壓力抽不到原設定的壓力。這種情況可能有三種現象:第一種是真空系統存在慢泄漏，系統檢漏通不過。

原因及解決：各接口的O型密封圈不干凈或接頭螺帽沒有擰緊所致。我們常見的是爐門大O型密封圈沒有裝好或使用一段時間后O型密封圈老化變形影響密封性所致，此時換一個O型密封圈即可解決;  

(2)第二種情況為真空度指示不正常，但系統檢漏尚可，漏速小于0.3Pa/min。  

原因及解決：很可能為壓力傳感部分被堵，清洗一下即可排除，當然也不能排除機械泵抽氣速率下降的可能性

(3)第三種現象是爐管清洗后真空度抽不上來，

原因及解決：可能為冷阱(粒子捕集阱)，波紋管清洗后沒有徹底烘干，開機械泵抽真空后剩余的水慢慢氣化所致。所以要求清洗后將波紋管和冷阱放在烘箱里烘干，烘箱溫度保持在80一100℃為宜。  

B、機械泵抽真空時，真空計無指示(即壓力<133Pa)。

原因及解決：可能為進出舟時爐門沒有完全關好，此時在爐口處可聽到“吱吱”聲。關好爐門后此種現象即能排除。

C、淀積速率變慢。正常情況下，當爐溫、氣體流量、工作壓力一定時，其反應速率基本保持穩定，但實際工作中，我們發現淀積速率有時明顯變慢，檢查氣體流量、爐溫、工作壓力均正常。這種現象特別常見于SiH2C12+NH3體系。  

原因及解決：進人反應系統中的SiH2C12流量減少，由于NH3過量，有時很難從工作壓力中看出來。拆開SiH2C12流量計控制閥(電磁閥)或傳感部分，從小孔中可以看到有局部堵塞現象，清洗后速率可恢復。

D、淀積不上。這種現象有時出現在多晶硅薄膜的淀積工藝中，由于多晶硅淀積時要求爐溫為550一620℃，有時爐子升溫時由于過流引起加熱電源開關跳掉，實際淀積時爐溫已下降至500℃以下，故發生氣體流量異常，淀積不上的現象。

 

2.維護  

為了使CVD設備長期正常運轉，除了要求操作者正確地操作、使用設備外，采取一些有效的方法維護好設備，是保護好CVD設備正常運轉的關鍵，為此可采取下列措施:  

(l)盡可能地讓CVD設備的真空系統處于真空狀態。CVD設備按淀積工藝要求，所用的工藝氣體及反應生成副產物，一般都具有強烈的腐蝕性。如果

Si3N4薄膜淀積完畢后不及時將反應殘余氣體抽盡，則很可能腐蝕氣路接口、波紋管、真空計、真空泵等。所以，在Si3N4薄膜淀積完畢后，盡量延長真空泵的抽氣時間，以便盡可能地抽除殘余氣體。遇到幾天不用時，開啟一次真空泵抽一次，以提高設備使用完好率。

(2)及時充裝氮氣。在作完工藝后，爐管內石英舟上裝有淀積好的硅片，一定要將其保存在充滿氮氣的環境內，以防止氧化、腐蝕，這樣可以更好的保存。

(3)定期更換真空泵油。雖然所使用的真空系統安裝了真空泵油過濾器，能保持較長時間的泵油清潔。但對于象SiH2C12+NH3這樣的反應體系，由于反應時在爐尾和爐口兩端生成了副產物NH4CI白色粉末，NH4CI在反應管后部的波紋管、真空管壁上淀積是相當嚴重的，它和HCI等有害雜質隨時有被抽至真空泵的危險。這些顆粒，不斷少量地進人真空泵，使泵油變稠，堵塞泵油過濾系統，影響設備的正常運轉。所以必須定期更換真空泵油。

(4)定期檢修電磁閥。為了防止真空泵油返回真空管道內，在真空泵上安裝了電磁閥，該電磁閥常見的故障是，電磁閥內由于有少量的NH4CI粉末存在，使電磁閥內的O型密封圈的密封性能降低，導致真空系統存在著慢泄漏，整個設備的真空系統在停機后不能保持真空狀態，只有定期檢修電磁閥，清洗后更換電磁閥內的O型密封圈，才能在薄膜淀積完畢后使CVD設備的真空系統處于真空狀態。

(5)定期清洗石英管。在淀積過程中石英管和石英舟上都會淀積上一層薄膜，在每次工藝結束后，都應將石英舟在原位適當移動一下，以免石英舟和石英管沾附。隨著工藝生產的增多，在石英管和石英舟上淀積的薄膜越來越厚。在達到一定程度后，石英管出現了硅裂的現象，也使得整個石英管的承重加大，超過了其最大負載，一根石英管出現一定程度的下沉(原來兩根石英管處于同一水平面上)。從而導致石英舟上裝的硅片也跟著一起下沉，偏離了爐管中心位置，造成淀積的薄膜不均勻。因此，進行定期清洗才能保證工藝的穩定性和可重復性，從而保證產品質量