CVD系統產品的特點:
1 CVD系統兼容、常壓、微正壓多種主流的生長模式
2 CVD系統可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進行石墨烯的生長
3 CVD系統使用計算機控制,可以設置多種生長參數
4 CVD系統可以制備高質量,大面積石墨烯等碳材料,尺寸可達數厘米,研究動力學過程
5 CVD系統沉積效率高;薄膜的成分準確可控,配比范圍大;厚度范圍廣,由幾百埃至數毫米,可以實現厚膜沉積且能大量生產
707高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
CVD技術特點:
具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復性好、臺階覆蓋優良、適用范圍廣、設備簡單等一系列優點
CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的各種薄膜,例如摻雜或不摻雜的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬(鎢、鉬)等