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高真空PECVD設備
產品型號：KJ-T1200-S5030-H
主要用途：廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。
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設備介紹
PECVD系統由管式爐，真空系統、供氣系統、射頻電源系統等組成。PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。PECVD增加功能容易，可擴展等離子清洗刻蝕等功能，PECVD系統薄膜沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高等優點。 等離子增強化學沉積系統廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。
產品優勢
成品質量好PECVD具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點
沉積效果好等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜
薄膜應力大小可調可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小
技術參數
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產品名稱 |
高真空PECVD設備(CE認證) |
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滑軌管式爐部分 |
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產品型號 |
KJ-T1200-S5030-H |
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爐管尺寸 |
Φ50mmX1600mm |
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爐管材質 |
石英管 |
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加熱區 |
300mm |
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工作溫度 |
1100℃ |
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最高溫度 |
1200℃ |
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溫控方式 |
K型熱電偶 |
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控制方式 |
觸屏控制，帶獨立搖臂，可以根據實際使用需求，調節溫控屏的角度，使用更方便 |
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控溫精度 |
±1℃ |
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溫控保護 |
具有超溫和斷偶保護功能 |
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升溫速率 |
0-20ºC/min ，建議10ºC/min |
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加熱元件 |
含鉬電阻絲 |
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工作電壓 |
AC 220V 單相 50HZ （電路電壓用戶可選擇定制） |
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加熱功率 |
3KW |
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爐膛材料 |
氧化鋁多晶纖維 |
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爐體結構 |
爐體帶滑軌，可實現快速升溫和降溫 |
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法蘭接頭 |
標配配有兩個不銹鋼真空法蘭，已安裝機械壓力表和不銹鋼截止閥 |
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密封系統 |
該爐爐管與法蘭之間采用硅膠O型圈擠壓密封、撤卸方便、可重復撤卸，氣密性好。 |
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殼體 |
不銹鋼殼體 |
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選配 |
輔助降溫風扇 |
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真空系統部分 |
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名稱 |
真空系統 |
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主要參數 |
1.采用進口安捷倫高真空分子泵組，極限真空度可達10-3pa 2.KF25快接，不銹鋼波紋管，手動擋板閥與法蘭，真空泵相連； 3.數字式真空顯示，其測量范圍為5×10-5- 1500mbar，測量精度高高 |
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氣路系統部分 |
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名稱 |
四路質量流量計 |
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主要參數 |
四通道精密質量流量計：觸屏控制，數字顯示，自動控制。流量范圍流量范圍： 1.MFC 1-MFC4：0-1000sccm可調 2.一個混氣罐 3.4個不銹鋼針閥安裝在供氣系統的左側，可手動控制4種氣體； 4.進出氣口：3進1出 流量控制：手動旋轉式調節 連接方式：雙卡套連接 |
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等離子電源部分 |
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名稱 |
500W等離子電源 |
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功率范圍 |
0-500W（連續可調） |
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工作頻率 |
13.56MHZ+0.005% |
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工作模式 |
連續輸出 |
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射頻輸出阻抗接口 |
N-type,female（50Ω） |
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功率穩定度 |
≤2W |
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最大反射功率 |
70W |
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電源保護設置 |
DC過流保護，功放過溫保護，反射功率保護 |
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供電電壓/頻率 |
單相交流（187V-253V）50-60HZ |
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冷卻方式 |
風冷 |
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整機尺寸 |
88X483X550 MM |
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整機重量 |
13.5KG |
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認證 |
ISO認證、CE認證 |
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售后服務 |
質保一年，終身保修（耗材類：高溫密封圈、爐管、加熱元件等不屬于質保范圍） |
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