獲取報價
即刻留言 
添加微信咨詢報價服務熱線
177-3714-9370
熱銷產品推薦PRODUCTS
化學氣相沉積系統用哪個牌子的比較好
作者:科佳電爐 來源：原創 發表時間：2018-12-25 10:37:39
一、定義：
化學氣相沉積法（chemical vapor deposition）是反應物質在氣態條件下發生化學反應，生成固態物質沉積在加熱的固態基體表面，進而制得固體材料的工藝技術。它本質上屬于原子范疇的氣態傳質過程。 簡單地說，CVD是讓某種需要的材料的氣體在高溫下面分解，然后讓生成的顆粒均勻的落在我們用來改造的東西上（基底），并且可以按需要長成固定的形狀大?。ū热绻軤?，片狀，等等）
二、發展歷史：
CVD最早可以追溯到原始年代。古代人在洞穴中焚燒木材，會在洞穴的墻壁上面留下一層黑色的碳灰，這也可以認為是一種沉積過程?，F代科學和技術需要使用大量功能各異的無機新材料，這些功能材料必須是高純的，或者是在高純材料中有意地摻人某種雜質形成的摻雜材料。但是，我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結晶等往往難以滿足這些要求，也難以保證得到高純度的產品。因此，無機新材料的合成就成為現代材料科學中的主要課題。 化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術?；瘜W氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態天機薄膜材料。
三、原理簡介
首先是氣體進入反應器（①） 然后是氣體被吸附到材料表面（②） 然后氣體在材料表面發生化學反應，分解，成核，等等（③） 然后隨著反應的進行，沉積下來的材料會越來越多，并且按特定方向排列，我們稱之為生長（④） 最后是反應生成的副產物，廢氣等排出反應器（⑤） 用來進行沉積的反應可以很多，主要有四大類： 熱分解反應 SiH4(g) →Si(s)+2H2(g) 氧化還原反應 SiH4(g) +O2(g)→SiO2(s)+2H2(g) 化學合成反應 TiCl4 (g) +CH4 (g) →TiC (s) +4HCl (g) 歧化反應 2GeI2(g) →Ge(s) + GeI4(g)
CVD根據原理，
條件的不同，可以分為以下幾種： 低壓CVD(LPCVD) 常壓CVD(APCVD) 亞常壓CVD(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等離子體增強CVD(PECVD) 高密度等離子體CVD(HDPCVD) 快熱CVD(RTCVD) 金屬有機物CVD(MOCVD)
鄭州科佳生產爐子十年有余，cvd系統和pecvd設備是我們主要生產和研究的實驗設備，設備元宵國外三十多個國家，受到一致的好評。
在線留言
直銷廠家
價格實惠
質量靠譜
瀏覽了這篇文章的用戶還瀏覽了:
