氮化硅薄膜是一種物理、化學性能十分優良的介質膜,具有高的致密性、高的介電常數、良好的絕緣性能和優異的抗Na能力等,因此廣泛應用于集成電路的最后保護膜、耐磨抗蝕涂層、表面鈍化、層間絕緣、介質電容等。氮化硅膜已用于制作新功能、多功能、高可靠性的器件,其特性在很大程度上依賴于薄膜的制作條件。

 

沉積氮化硅薄膜,射頻源頻率是標準頻率13.56MHz,使用SiH42NH3(Ar)氣體系統,典型條件為:

沉積溫度330℃;射頻功率100～200W;滿載裝片量20.32cm硅片8片;工作氣壓200Pa;氣體流量比R[SiH4(mL/min)/NH3(mL/min)]=1/10,根據工作氣壓調整SiH4、NH3及保護氣體Ar流量,一般情況下NH3過飽和,根據折射率調整SiH4流量。試驗選用單面拋光的P型硅片(100)晶面作襯底,薄膜沉積時對單晶硅片晶向電阻率無要求,拋光后的硅片從拋光機上卸下不必使其干燥,然后經過以下處理:(1)用去離子水沖洗10min;(2)在120℃的V(H2SO4)ζV(H2O2)=3ζ1溶液中浸。等離子增強化學氣相沉積(簡稱PECVD)具有沉積溫度低(<400℃)、沉積膜針孔密度小、均勻性好、臺階覆蓋性好等優點。PECVD氮化硅薄膜技術已在半導體器件、集成電路的研制、芯片的鈍化膜和多層布線間介質膜制作中得到廣泛應用。

 

科佳pecvd系統可用于沉積SiO薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜、炭納米管（CNT）和氮化硅等，可以通多路保護氣體，與多家知名高校和企業合作，用戶可以根據自己的需求定做，咨詢熱線：0371-67826992