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PECVD系統即PECVD等離子體增強化學氣相沉積系統。
科佳pecvd設備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。
科佳pecvd設備主要由管式加熱爐體,真空系統,質子流量供氣系統,射頻等離子源,石英反應腔室等部件組成。
主要特點:
1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態。
2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。
4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高。
5、廣泛應用于:各種薄膜的生長,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。
系統選型
項 目 推薦選型 管式加熱爐體
石英反應腔室 :根據需求選擇不同直徑的石英管作為反應室。有Φ40,Φ60,Φ80,Φ100,Φ120,Φ150等規格可選。
真空系統 :根據需求選擇不同真空效果的真空系統。有極限真空0.1Pa,極限真空0.001Pa,以及進口高真空機組極限真空0.0001Pa供選擇。
質子流量供氣系統:根據需求選擇多路質子流量供氣系統。有兩路,三路,四路,五路或更多路供選擇。
射頻等離子源:根據需求選擇強度不同的射頻電源。有(300W),(500W)或更大功率的射頻電源供選擇。
常見PECVD系統組合
1. 1200度60滑軌式微型管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,300W射頻電源
2. 1200度60滑軌式管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,500W射頻電源
3. 1200度60雙溫區滑軌式管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,500W射頻電源
4. 1200度60三溫區滑軌式管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,500W射頻電源
5. 1200度60微型預熱爐,1200度60滑軌式管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,500W射頻電源
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